大鹏卷帘机厂家
免费服务热线

Free service

hotline

010-00000000
大鹏卷帘机厂家
热门搜索:
技术资讯
当前位置:首页 > 技术资讯

IMEC称准备量产20nm以下工艺RRAM可取代当前存储器万芳

发布时间:2020-02-14 12:23:03 阅读: 来源:大鹏卷帘机厂家

IMEC称准备量产20nm以下工艺RRAM 可取代当前存储器

IMEC的电阻式随机存取存储器(RRAM)在金属电极之间夹入了氧化铪忆阻材料/资料来源:IMEC

“惠普声称使用接口类型的开关,”Jurczak说,“但我们使用丝状开关。”

据IMEC表示,他们已经使用丝状开关达到了超快速的次纳米级编程时间,以及超低功率的次500nA操作电流。IMEC也将报告如何藉由先进的材料堆叠工程的优势,来改善位元单元的可靠性。

“我们正在克服传统闪存单元的微缩极限,”Jurczak说。“新兴存储器技术领域中的主要存储器厂商都已加入我们的研究计划,这也证实了我们的RRAM研究对全球产业而言极具价值。”

IMEC的四篇论文标题分别为:针对铪氧化物RRAM中设定与重置的动态沙漏模型(Dynamic 'Hour Glass' Model for Set and Reset in Hafnium Oxide RRAM);藉由理解基础堆叠工程在高性能双极RRAM中实现超低次500nA操作电流(Ultralow sub-500nA Operating Current in High-Performance Bipolar RRAM Achieved Through Understanding-Based Stack-Engineering);藉由工艺改善RRAM单元性能和可靠性,同时为高密度存储器应用的可制造性和可扩展性铺平道路(Process-Improved RRAM Cell Performance and Reliability and Paving the Way for Manufacturability and Scalability for High Density Memory Application);场驱动的超高速sub-ns RRAM编程(Field-Driven Ultrafast sub-ns RRAM Programming)。

美女裸体图

旗袍美女照片

美女裸体图片